Fundamentals and applications of memristive devices using the examples of ferroelectric tunnel junctions and NbOx-based threshold switches

Abstract

Memristive device have been studied since the 1960s. In the early 2000s the interest drastically increased in the quest to find better nonvolatile memory options. Recently, the development to use analog in memory computing for AI applications has given the topic another push. In this talk, first a general introduction into memristive devices will be given. In the second and third part of the talk ferroelectric tunnel junctions and niobium oxide based threshold switches will be used as examples to explain specific approaches with a focus on neuromorphic computing solutions. 

Biographie

Thomas Mikolajick erhielt 1990 den Dipl.-Ing. und 1996 den Dr.-Ing. in Elektrotechnik von der Universität Erlangen-Nürnberg. Von 1996 bis 2006 war er in der Halbleiterindustrie (Siemens, Infineon, Qimonda) tätig. 2006 wurde er zum Professor für Elektronik- und Sensormaterialien an der TU Bergakademie Freiberg berufen. Seit 2009 ist er Professor für Nanoelektronik an der TU Dresden und in Personalunion wissenschaftlicher Leiter der NaMLab gGmbH. Er ist Autor oder Co-Autor von über 700 Publikationen (h-Index von 102 laut Google Scholar) und Erfinder oder Miterfinder in über 50 Patentfamilien. Er ist im „Highly Cited Researcher“ (HCR) Ranking des amerikanischen Unternehmens Clarivate Analytics für die Jahre 2022, 2023 und 2024 in der Kategorie „cross field“ gelistet.  Seit 2023 ist er IEEE Fellow für Beiträge zu nichtflüchtigen Speichern.