Tutorial B
Sitzungsleitung und Organisation: L. Hedrich, Goethe Universität Frankfurt am Main
F. Salfelder, Goethe Universität Frankfurt,
M. Kärgel, M. Olbrich, Leibniz Universität Hannover,
M. Barke, Technische Universität München,
D. Helms, OFFIS - Institut für Informatik, Oldenburg
S. Stattelmann, FZI; O. Bringmann, Eberhard-Karls Universität Tübingen
Alterungseffekte wie NBTI und HCI wurden für Transistoren, die in digitalen Schaltungen verwendet werden, eingehend untersucht. Die Auswirkungen auf die digitalen Syteme werden im 2. Teil des gesamten Tutorials eingehend beleuchtet. Dieser Teil behandelt die Auswirkungen auf analoge Schaltungsteile: Die physikalischen Effekte werden kurz vorgestellt und dann so modelliert, dass sie auch bei analogen Eingangssignalen plausibles Schädigungsverhalten aufweisen. Zusätzlich wird eine Methode angegeben, wie das Schädigungsverhalten effizient über 10 Jahre vorausberechnet werden kann. Die Methoden werden mit einigen analogen Beispielen unterfüttert.
Dienstag, 25. September 2012
DLR, Institut für Raumfahrtsysteme, Bremen
13:00 - 17:00 Uhr
Uhrzeit |
Thema |
13:00 - 13:20 |
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13:20 - 14:00 |
Modellierung stetiger Degradationseffekte in analogen Schaltungen |
14:00 - 14:35 |
Mixed-Signal-Simulation mit Berücksichtigung von Parametervariationen |
14:35 - 15:10 |
Einfluss von Alterungseffekten auf die Robustheit digitaler Schaltungen |
15:10 - 15:30 |
PAUSE |
15:30 - 16:05 |
Von der Spezifikation zur frühen Robustheitsvorhersage |
16:05 - 16:40 |
Workload-basierte Verlässlichkeitsanalyse für eingebettete Prozessoren |
16:40 - ENDE |
Fragen |